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Calculated properties of point defects in Be-doped GaN

Calculated properties of point defects in Be-doped GaN

Latham, C. D.; Nieminen, R. M.; Fall, C. J.; Jones, R.; Öberg, S.; Briddon, P. R.
  • 期刊名称Physical Review B
  • 作者Latham, C. D.; Nieminen, R. M.; Fall, C. J.; Jones, R.; Öberg, S.; Briddon, P. R.
  • 卷第67卷
  • 期第20期
  • 印刷ISSN0163-1829
  • 电子ISSN1095-3795
  • 文件大小91.53KB
  • 发表时间2003-5-9
  • DOI10.1103/PhysRevB.67.205206
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