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GaN-based epitaxy on silicon: stress measurements

GaN-based epitaxy on silicon: stress measurements

A. Krost; A. Dadgar; G. Strassburger; R. Clos
  • 作者A. Krost; A. Dadgar; G. Strassburger; R. Clos
  • 卷第200卷
  • 期第1期
  • 印刷ISSN1862-6319
  • 文件大小1148.89KB
  • 发表时间2003
  • DOI10.1002/pssa.200303428
  • 页码26-35
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