AlGaN∕GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistor with oxidized Ni as a gate insulator
C. S. Oh; C. J. Youn; G. M. Yang; K. Y. Lim; J. W. Yang
- 作者C. S. Oh; C. J. Youn; G. M. Yang; K. Y. Lim; J. W. Yang
- 文件大小336.56KB
- 发表时间2004
- DOI10.1063/1.1811793