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Growth mechanism of AlN by metal-organic molecular beam epitaxy

Gherasoiu, I.; Nikishin, S.; Kipshidze, G.; Borisov, B.; Chandolu, A.; Ramkumar, C.; Holtz, M.; Temkin, H.

期刊名称Journal of Applied Physics
作者Gherasoiu, I.; Nikishin, S.; Kipshidze, G.; Borisov, B.; Chandolu, A.; Ramkumar, C.; Holtz, M.; Temkin, H.
卷第96卷
期第11期
印刷ISSN0021-8979
文件大小369.96KB
发表时间2004
DOI10.1063/1.1813623