High quality AlGaN growth by changing growth pressure and insertion of AlN/GaN superlattice interlayer
- 作者J. Y. Kim; K. J. Lee; E. H. Shin; K. Y. Lim; S. H. Lee; K. S. Nahm
- 卷第1卷
- 期第10期
- 印刷ISSN1610-1634
- 电子ISSN1610-1642
- 文件大小345.52KB
- 发表时间2004
- DOI10.1002/pssc.200404981
- 页码2445-2449