Impact of titanium addition on film characteristics of HfO[sub 2] gate dielectrics deposited by atomic layer deposition
Triyoso, D. H.; Hegde, R. I.; Zollner, S.; Ramon, M. E.; Kalpat, S.; Gregory, R.; Wang, X.-D.; Jiang, J.; Raymond, M.; Rai, R.; Werho, D.; Roan, D.; White, B. E.; Tobin, P. J.
- 期刊名称Journal of Applied Physics
- 作者Triyoso, D. H.; Hegde, R. I.; Zollner, S.; Ramon, M. E.; Kalpat, S.; Gregory, R.; Wang, X.-D.; Jiang, J.; Raymond, M.; Rai, R.; Werho, D.; Roan, D.; White, B. E.; Tobin, P. J.
- 卷第98卷
- 期第5期
- 印刷ISSN0021-8979
- 文件大小785.39KB
- 发表时间2005
- DOI10.1063/1.2030407