Field-effect transistors based on AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructures grown by MBE
S. B. Aleksandrov; D. A. Baranov; V. P. Chaly; D. M. Krasovitsky; M. V. Pavlenko; S. I. Petrov; Yu. V. Pogorelsky; I. A. Sokolov; M. A. Sokolov; L. E. Velikovsky; N. I. Podolskaya; K. A. Bulashevich; S. Yu. Karpov
- 作者S. B. Aleksandrov; D. A. Baranov; V. P. Chaly; D. M. Krasovitsky; M. V. Pavlenko; S. I. Petrov; Yu. V. Pogorelsky; I. A. Sokolov; M. A. Sokolov; L. E. Velikovsky; N. I. Podolskaya; K. A. Bulashevich; S. Yu. Karpov
- 卷第2卷
- 期第7期
- 印刷ISSN1610-1634
- 电子ISSN1610-1642
- 文件大小178.43KB
- 发表时间2005
- DOI10.1002/pssc.200461394
- 页码2688-2691