Nitrogen-doped Ge2Sb2Te5films for nonvolatile memory

• 作者Yunfeng Lai; Baowei Qiao; Jie Feng; Yun Ling; Lianzhang Lai; Yinyin Lin; Ting’ao Tang; Bingchu Cai; Bomy Chen
• 卷第34卷
• 期第2期
• 印刷ISSN0361-5235
• 电子ISSN1543-186X
• 文件大小586.16KB
• 发表时间2005
• DOI10.1007/s11664-005-0230-2
• 页码176-181