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The post-damage behavior of a MOS tunnel emitter transistor

The post-damage behavior of a MOS tunnel emitter transistor

S.E. Tyaginov; M.I. Vexler; A.F. Shulekin; I.V. Grekhov

作者S.E. Tyaginov; M.I. Vexler; A.F. Shulekin; I.V. Grekhov
卷第46卷
期第7期
印刷ISSN0026-2714
文件大小567.50KB
发表时间2006
DOI10.1016/j.microrel.2005.10.006
页码1035-1041

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