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Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors

Conductance modulation by individual acceptors in Si nanoscale field-effect transistors

Ono, Y.; Nishiguchi, K.; Fujiwara, A.; Yamaguchi, H.; Inokawa, H.; Takahashi, Y.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Ono, Y.; Nishiguchi, K.; Fujiwara, A.; Yamaguchi, H.; Inokawa, H.; Takahashi, Y.
卷第90卷
期第10期
印刷ISSN0003-6951
文件大小785.61KB
发表时间2007
DOI10.1063/1.2679254

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