Growth Kinetics of Atomic Layer Deposited Hf Silicate-Like Films using Hf[N(CH[sub 3])(C[sub 2]H[sub 5])][sub 4] and SiH[N(CH[sub 3])[sub 2]][sub 3] Precursors via an H[sub 2]O Oxidant

• 期刊名称Electrochemical and Solid-State Letters
• 作者Chung, K. B.; Cho, M.-H; Moon, D. W.; Suh, D. C.; Ko, D.-H.; Hwang, U.; Kang, H. J.
• 卷第10卷
• 期第1期
• 印刷ISSN1099-0062
• 文件大小468.91KB
• 发表时间2007
• DOI10.1149/1.2372222