Two-dimensional simulation of type-II InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors

• 作者N. G. M. Tao; H. G. Liu; C. R. Bolognesi
• 卷第4卷
• 期第5期
• 印刷ISSN1610-1634
• 电子ISSN1610-1642
• 文件大小372.20KB
• 发表时间2007
• DOI10.1002/pssc.200674269
• 页码1675-1679