Electrical properties of the InP/InGaAspnpheterostructure-emitter bipolar transistor

• 作者J. H. Tsai; W. Ch. Liu; D. F. Guo; Y. Ch. Kang; Sh. Y. Chiu; W. Sh. Lour
• 卷第42卷
• 期第3期
• 印刷ISSN1063-7826
• 电子ISSN1090-6479
• 文件大小201.82KB
• 发表时间2008-03
• DOI10.1134/s1063782608030196
• 页码346-349