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InAs∕GaSb cascaded active region superlattice light emitting diodes for operation at 3.8 μm

Koerperick, E. J.; Olesberg, J. T.; Boggess, T. F.; Hicks, J. L.; Wassink, L. S.; Murray, L. M.; Prineas, J. P.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Koerperick, E. J.; Olesberg, J. T.; Boggess, T. F.; Hicks, J. L.; Wassink, L. S.; Murray, L. M.; Prineas, J. P.
卷第92卷
期第12期
印刷ISSN0003-6951
文件大小422.64KB
发表时间2008
DOI10.1063/1.2892633