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Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes

Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes

Yong, Gao; Jing, Liu; Yuan, Yang

期刊名称Chinese Physics B
作者Yong, Gao; Jing, Liu; Yuan, Yang
卷第17卷
期第12期
印刷ISSN1674-1056
文件大小1108.33KB
发表时间2008-12
DOI10.1088/1674-1056/17/12/050
页码4635-4639

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