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Output power enhancement of GaN light emitting diodes with p-type ZnO hole injection layer

Output power enhancement of GaN light emitting diodes with p-type ZnO hole injection layer

B. J. Kim; Y. R. Ryu; T. S. Lee; H. W. White

作者B. J. Kim; Y. R. Ryu; T. S. Lee; H. W. White
文件大小391.02KB
发表时间2009
DOI10.1063/1.3097243

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