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Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique

Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique

K. Sawano; Y. Hoshi; Y. Hiraoka; N. Usami; K. Nakagawa; Y. Shiraki

作者K. Sawano; Y. Hoshi; Y. Hiraoka; N. Usami; K. Nakagawa; Y. Shiraki
卷第311卷
期第3期
印刷ISSN0022-0248
文件大小419.45KB
发表时间2009
DOI10.1016/j.jcrysgro.2008.09.099
页码806-808

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