Localization of excitons in weakly disordered semiconductor structures: A model study

• 作者N. Gögh; P. Thomas; I. Kuznetsova; T. Meier; I. Varga
• 卷第18卷
• 期第12期
• 印刷ISSN0003-3804
• 电子ISSN1521-3889
• 文件大小214.20KB
• 发表时间2009
• DOI10.1002/andp.200910382
• 页码905-909