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Base charge accumulation and push-out effects on nonlinearity of Type-I InP/InGaAs/InP and Type-I/II AlInP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors

Base charge accumulation and push-out effects on nonlinearity of Type-I InP/InGaAs/InP and Type-I/II AlInP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors

(Donald) Cheng, K. Y.; Xu, H.; Stuenkel, M. E.; Iverson, E. W.; Liao, C. C.; Yang, K. W.; Feng, M.; (Norman) Cheng, K. Y.
  • 期刊名称Journal of Applied Physics
  • 作者(Donald) Cheng, K. Y.; Xu, H.; Stuenkel, M. E.; Iverson, E. W.; Liao, C. C.; Yang, K. W.; Feng, M.; (Norman) Cheng, K. Y.
  • 卷第110卷
  • 期第11期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小2726.54KB
  • 发表时间2011
  • DOI10.1063/1.3662152
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