Electrical properties of metal–ferroelectric–insulator–semiconductor structure using BaxSr1−xTiO3 for ferroelectric–gate field effect transistor

• 作者Ala’eddin A. Saif; P. Poopalan
• 卷第62卷
• 期第1期
• 印刷ISSN0038-1101
• 文件大小698.92KB
• 发表时间2011
• DOI10.1016/j.sse.2011.03.004
• 页码25-30