Effect of the chemical composition at the memory behavior of Al/BST/SiO2/Si-gate-FET structure

• 作者Ala’eddin A. Saif; Z. A. Z. Jamal; P. Poopalan
• 卷第1卷
• 期第3期
• 印刷ISSN2190-5509
• 电子ISSN2190-5517
• 文件大小1891.30KB
• 发表时间2011-09
• DOI10.1007/s13204-011-0024-1
• 页码157-162