发现好书期刊,享受阅读乐趣

海量图书期刊资源,随时随地畅享阅读乐趣

Trapezoid defect in 4H–SiC epilayers

Trapezoid defect in 4H–SiC epilayers

R.A. Berechman; S. Chung; G. Chung; E. Sanchez; N.A. Mahadik; R.E. Stahlbush; M. Skowronski
  • 作者R.A. Berechman; S. Chung; G. Chung; E. Sanchez; N.A. Mahadik; R.E. Stahlbush; M. Skowronski
  • 卷第338卷
  • 期第1期
  • 印刷ISSN0022-0248
  • 文件大小386.34KB
  • 发表时间2012
  • DOI10.1016/j.jcrysgro.2011.10.009
← 返回【学霸图书馆】主页