InGaN laser diodes operating at 450–460 nm grown by rf-plasma MBE

• 作者C. Skierbiszewski; M. Siekacz; H. Turski; G. Muzioł; M. Sawicka; A. Feduniewicz-żmuda; J. Smalc-koziorowska; P. Perlin; S. Grzanka; Z. R. Wasilewski; R. Kucharski; S. Porowski
• 文件大小1505.19KB
• 发表时间2012
• DOI10.1116/1.3665223