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Theoretical Study of the Gate Leakage Current in Sub-10-nm Field-Effect Transistors

Theoretical Study of the Gate Leakage Current in Sub-10-nm Field-Effect Transistors

Fischetti, Massimo V.; Fu, Bo; Vandenberghe, William G.

期刊名称IEEE Transactions on Electron Devices
作者Fischetti, Massimo V.; Fu, Bo; Vandenberghe, William G.
卷第60卷
期第11期
印刷ISSN0018-9383
电子ISSN1557-9646
文件大小1137.51KB
发表时间2013-11
DOI10.1109/TED.2013.2280844
页码3862-3869

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