Electron-Induced Single-Event Upsets in Static Random Access Memory

King, M. P.; Reed, R. A.; Weller, R. A.; Mendenhall, M. H.; Schrimpf, R. D.; Sierawski, B. D.; Sternberg, A. L.; Narasimham, B.; Wang, J. K.; Pitta, E.; Bartz, B.; Reed, D.; Monzel, C.; Baumann, R. C.; Deng, X.; Pellish, J. A.; Berg, M. D.; Seidleck, C. M.; Auden, E. C.; Weeden-Wright, S. L.; Gaspard, N. J.; Zhang, C. X.; Fleetwood, D. M.

期刊名称IEEE Transactions on Nuclear Science
作者King, M. P.; Reed, R. A.; Weller, R. A.; Mendenhall, M. H.; Schrimpf, R. D.; Sierawski, B. D.; Sternberg, A. L.; Narasimham, B.; Wang, J. K.; Pitta, E.; Bartz, B.; Reed, D.; Monzel, C.; Baumann, R. C.; Deng, X.; Pellish, J. A.; Berg, M. D.; Seidleck, C. M.; Auden, E. C.; Weeden-Wright, S. L.; Gaspard, N. J.; Zhang, C. X.; Fleetwood, D. M.
卷第60卷
期第6期
印刷ISSN0018-9499
电子ISSN1558-1578
文件大小659.50KB
发表时间2013-12
DOI10.1109/TNS.2013.2286523
页码4122-4129

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Electron-Induced Single-Event Upsets in Static Random Access Memory