Temperature dependent of the current–voltage (I–V) characteristics of TaSi2/n-Si structure

• 期刊名称Materials Science in Semiconductor Processing
• 作者Abu-Samaha, F.S.; Darwish, A.A.A.; Mansour, A.N.
• 卷第16卷
• 期第6期
• 印刷ISSN1369-8001
• 文件大小454.10KB
• 发表时间2013-12
• DOI10.1016/j.mssp.2013.07.036
• 页码1988-1991