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N/GaN staggered quantum wells

On the donor states in double In _x Ga _{1 −
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y} N/GaN staggered quantum wells

Yıldırım, Hasan; Aslan, Bulent

期刊名称Semiconductor Science and Technology
作者Yıldırım, Hasan; Aslan, Bulent
卷第28卷
期第11期
印刷ISSN0268-1242
电子ISSN1361-6641
文件大小519.22KB
发表时间2013-11-01
DOI10.1088/0268-1242/28/11/115006

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