发现好书期刊,享受阅读乐趣

海量图书期刊资源,随时随地畅享阅读乐趣

Progress in SiC MOSFET Reliability

Progress in SiC MOSFET Reliability

Hughart, D. R.; Flicker, J. D.; DasGupta, S.; Atcitty, S.; Kaplar, R. J.; Marinella, M. J.
  • 期刊名称ECS Transactions
  • 作者Hughart, D. R.; Flicker, J. D.; DasGupta, S.; Atcitty, S.; Kaplar, R. J.; Marinella, M. J.
  • 卷第58卷
  • 期第4期
  • 印刷ISSN1938-6737
  • 电子ISSN1938-5862
  • 文件大小689.01KB
  • 发表时间2013-08-31
  • DOI10.1149/05804.0211ecst
  • 页码211-220
← 返回【学霸图书馆】主页