Structural characterizations of GaN nanowires grown on Si (111) substrates by thermal evaporation

• 期刊名称Materials Letters
• 作者Shekari, L.; Hassan, H. Abu; Hassan, Z.
• 卷第114卷
• 印刷ISSN0167-577X
• 文件大小2560.01KB
• 发表时间2014-01
• DOI10.1016/j.matlet.2013.09.117
• 页码140-143