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Comparative study of leakage power in CNTFET over MOSFET device

Comparative study of leakage power in CNTFET over MOSFET device

Sinha, Sanjeet Kumar; Chaudhury, Saurabh
  • 期刊名称Journal of Semiconductors
  • 作者Sinha, Sanjeet Kumar; Chaudhury, Saurabh
  • 卷第35卷
  • 期第11期
  • 印刷ISSN1674-4926
  • 文件大小1024.15KB
  • 发表时间2014-11
  • DOI10.1088/1674-4926/35/11/114002
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