[IEEE 2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2014.12.15-2014.12.17)] 2014 IEEE International Electron Devices Meeting - CMOS-compatible GaN-on-Si field-effect transistors for high voltage power applications
Man Ho Kwan, ; Wong, K.-Y.; Lin, Y. S.; Yao, F.W.; Tsai, M. W.; Chang, Y.-C.; Chen, P. C.; Su, R.Y.; Wu, C.-H.; Yu, J. L.; Yang, F. J.; Lansbergen, G. P.; Wu, H.-Y.; Lin, M.-C.; Wu, C. B.; Lai, Y.-A.; Hsiung, C.-W.; Liu, P.-C.; Chiu, H.-C.; Chen, C.-M.; Yu, C. Y.; Lin, H. S.; Chang, M.-H.; Wang, S.-P.; Chen, L. C.; Tsai, J. L.; Tuan, H.C.; Kalnitsky, Alex
- 作者Man Ho Kwan, ; Wong, K.-Y.; Lin, Y. S.; Yao, F.W.; Tsai, M. W.; Chang, Y.-C.; Chen, P. C.; Su, R.Y.; Wu, C.-H.; Yu, J. L.; Yang, F. J.; Lansbergen, G. P.; Wu, H.-Y.; Lin, M.-C.; Wu, C. B.; Lai, Y.-A.; Hsiung, C.-W.; Liu, P.-C.; Chiu, H.-C.; Chen, C.-M.; Yu, C. Y.; Lin, H. S.; Chang, M.-H.; Wang, S.-P.; Chen, L. C.; Tsai, J. L.; Tuan, H.C.; Kalnitsky, Alex
- 文件大小561.24KB
- 发表时间2014
- DOI10.1109/iedm.2014.7047073