Accurate analytical drain current model for a nanoscale fully-depleted SOI MOSFET

• 期刊名称Solid-State Electronics
• 作者Anvarifard, Mohammad K.; Orouji, Ali A.
• 卷第103卷
• 印刷ISSN0038-1101
• 文件大小628.58KB
• 发表时间2015-01
• DOI10.1016/j.sse.2014.08.002
• 页码154-161