Unipolar resistive switching behavior of amorphous gallium oxide thin films for nonvolatile memory applications

Guo, D. Y.; Wu, Z. P.; An, Y. H.; Li, P. G.; Wang, P. C.; Chu, X. L.; Guo, X. C.; Zhi, Y. S.; Lei, M.; Li, L. H.; Tang, W. H.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Guo, D. Y.; Wu, Z. P.; An, Y. H.; Li, P. G.; Wang, P. C.; Chu, X. L.; Guo, X. C.; Zhi, Y. S.; Lei, M.; Li, L. H.; Tang, W. H.
卷第106卷
期第4期
印刷ISSN0003-6951
电子ISSN1077-3118
文件大小1421.05KB
发表时间2015-01-26
DOI10.1063/1.4907174

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