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Effects of annealing time on the electrical properties of the Y
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gate on silicon

Effects of annealing time on the electrical properties of the Y ₂ O ₃ gate on silicon

Quah, Hock Jin; Cheong, Kuan Yew

期刊名称Journal of Experimental Nanoscience
作者Quah, Hock Jin; Cheong, Kuan Yew
卷第10卷
期第1期
印刷ISSN1745-8080
电子ISSN1745-8099
文件大小415.90KB
发表时间2015-01-02
DOI10.1080/17458080.2013.781689
页码19-28

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