Small-signal modeling with direct parameter extraction for impact ionization effect in high-electron-mobility transistors

• 期刊名称Journal of Applied Physics
• 作者Guan, He; Lv, Hongliang; Guo, Hui; Zhang, Yuming
• 卷第118卷
• 期第19期
• 印刷ISSN0021-8979
• 电子ISSN1089-7550
• 文件大小867.92KB
• 发表时间2015-11-21
• DOI10.1063/1.4935542