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Sub-0.2 V Impact Ionization in Si n-i-p-i-n Diode

Sub-0.2 V Impact Ionization in Si n-i-p-i-n Diode

Das, Bhaskar; Sushama, Sushama; Schulze, Jorg; Ganguly, Udayan

期刊名称IEEE Transactions on Electron Devices
作者Das, Bhaskar; Sushama, Sushama; Schulze, Jorg; Ganguly, Udayan
印刷ISSN0018-9383
电子ISSN1557-9646
文件大小1895.93KB
发表时间2016
DOI10.1109/TED.2016.2620986
页码1-6

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