[IEEE 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2016.12.3-2016.12.7)] 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - 4Gbit density STT-MRAM using perpendicular MTJ realized with compact cell structure
Chung, S.-W.; Kishi, T.; Park, J. W.; Yoshikawa, M.; Park, K. S.; Nagase, T.; Sunouchi, K.; Kanaya, H.; Kim, G. C.; Noma, K.; Lee, M. S.; Yamamoto, A.; Rho, K. M.; Tsuchida, K.; Chung, S. J.; Yi, J. Y.; Kim, H. S.; Chun, Y.S.; Oyamatsu, H.; Hong, S. J.
- 作者Chung, S.-W.; Kishi, T.; Park, J. W.; Yoshikawa, M.; Park, K. S.; Nagase, T.; Sunouchi, K.; Kanaya, H.; Kim, G. C.; Noma, K.; Lee, M. S.; Yamamoto, A.; Rho, K. M.; Tsuchida, K.; Chung, S. J.; Yi, J. Y.; Kim, H. S.; Chun, Y.S.; Oyamatsu, H.; Hong, S. J.
- 文件大小746.68KB
- 发表时间2016
- DOI10.1109/IEDM.2016.7838490