[IEEE 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2019.12.7-2019.12.11)] 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - High Volume Electrical Characterization of Semiconductor Qubits
Pillarisetty, R.; Kashani, N.; Keys, P.; Kotlyar, R.; Luthi, F.; Michalak, D.; Millard, K.; Roberts, J.; Torres, J.; Zietz, O.; Krahenmann, T.; George, H. C.; Zwerver, A. - M.; Veldhorst, M.; Scappucci, G.; Vandersypen, L. M. K.; Clarke, J.S.; Watson, T. F.; Lampert, L.; Thomas, N.; Bojarski, S.; Amin, P.; Caudillo, R.; Henry, E.
- 作者Pillarisetty, R.; Kashani, N.; Keys, P.; Kotlyar, R.; Luthi, F.; Michalak, D.; Millard, K.; Roberts, J.; Torres, J.; Zietz, O.; Krahenmann, T.; George, H. C.; Zwerver, A. - M.; Veldhorst, M.; Scappucci, G.; Vandersypen, L. M. K.; Clarke, J.S.; Watson, T. F.; Lampert, L.; Thomas, N.; Bojarski, S.; Amin, P.; Caudillo, R.; Henry, E.
- 文件大小5025.40KB
- 发表时间2019
- DOI10.1109/IEDM19573.2019.8993587