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2 MeV Si ion implantation damage in relaxed Si1−xGexC. O'Raifeartaigh; R.C. Barklie; A. Nylandsted Larsen; F. Priolo; G. Franzó; G. Lulli; M. Bianconi; J.K.N. Lindner; F. Cristiano; P.L.F. Hemment · 1996