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Structure and properties of rapid thermal chemical vapor deposited polycrystalline silicon–germanium films on SiO[sub 2] using Si[sub 2]H[sub 6], GeH[sub 4], and B[sub 2]H[sub 6] gases

Structure and properties of rapid thermal chemical vapor deposited polycrystalline silicon–germanium films on SiO[sub 2] using Si[sub 2]H[sub 6], GeH[sub 4], and B[sub 2]H[sub 6] gases

Li, V. Z-Q; Mirabedini, M. R.; Hornung, B. E.; Heinisch, H. H.; Xu, M.; Batchelor, D.; Maher, D. M.; Wortman, J. J.; Kuehn, R. T.
  • 期刊名称Journal of Applied Physics
  • 作者Li, V. Z-Q; Mirabedini, M. R.; Hornung, B. E.; Heinisch, H. H.; Xu, M.; Batchelor, D.; Maher, D. M.; Wortman, J. J.; Kuehn, R. T.
  • 卷第83卷
  • 期第10期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小1378.96KB
  • 发表时间1998
  • DOI10.1063/1.367404
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