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Monte Carlo calculations of the electron impact ionization in n-type InSb crystal

Monte Carlo calculations of the electron impact ionization in n-type InSb crystal

Ašmontas, S; Raguotis, R; Bumelienė, S

期刊名称Semiconductor Science and Technology
作者Ašmontas, S; Raguotis, R; Bumelienė, S
卷第28卷
期第2期
印刷ISSN0268-1242
电子ISSN1361-6641
文件大小234.20KB
发表时间2013-02-06
DOI10.1088/0268-1242/28/2/025019

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