Structural properties of porous In0.08Ga0.92N synthesized using photoelectrochemical etching
Abud, Saleh H.; Hassan, Z.; Yam, F.K.
- 期刊名称Materials Letters
- 作者Abud, Saleh H.; Hassan, Z.; Yam, F.K.
- 卷第107卷
- 印刷ISSN0167-577X
- 文件大小1108.27KB
- 发表时间2013-09
- DOI10.1016/j.matlet.2013.06.056
- 页码367-369