发现好书期刊,享受阅读乐趣

海量图书期刊资源,随时随地畅享阅读乐趣

Structural properties of porous In0.08Ga0.92N synthesized using photoelectrochemical etching

Structural properties of porous In0.08Ga0.92N synthesized using photoelectrochemical etching

Abud, Saleh H.; Hassan, Z.; Yam, F.K.
  • 期刊名称Materials Letters
  • 作者Abud, Saleh H.; Hassan, Z.; Yam, F.K.
  • 卷第107卷
  • 印刷ISSN0167-577X
  • 文件大小1108.27KB
  • 发表时间2013-09
  • DOI10.1016/j.matlet.2013.06.056
  • 页码367-369
← 返回【学霸图书馆】主页